Bouchons cylindriques en liège — Essais physiques — Partie 8: Détermination de la capillarité
Le présent document spécifie la méthode d'essai pour déterminer la capillarité des bouchons cylindriques en liège. Elle consiste à mesurer les remontées capillaires par trempage dans une solution hydroalcoolique contenant un colorant. Deux méthodes utilisant le même mode opératoire mais des concentrations de solutions hydroalcooliques différentes sont décrites.
Elle s'applique à tous…
This document provides requirements for the evaluation and use of test method for snow depth sensors. This document is applicable to the following types of automatic snow depth sensors which employ different ranging technologies by which the sensors measure the distance from the snow surface to the sensor:
a) Ultrasonic type, also known as sonic ranging depth sensors;
b) Optical laser snow depth…
Power cables with extruded insulation and their accessories for rated voltages above 150 kV (<em&...
IEC 62067:2022 RLV contains both the official IEC International Standard and its Redline version. The Redline version is available in English only and provides you with a quick and easy way to compare all the changes between the official IEC Standard and its previous edition.
IEC 62067:2022 specifies test methods and requirements for power cable systems, cables with extruded insulation and…
Ferrite cores - Guidelines on dimensions and the limits of surface irregularities - Part 10: PM-core...
IEC 63093-10:2022 specifies the dimensions that are of importance for mechanical interchangeability for a preferred range of PM-cores made of magnetic oxides, the main dimensions for coil formers to be used with these cores and the locations of their pins on a modular printed wiring grid in relation to the base outlines of cores. It also specifies the effective parameter values to be used in…
Noyaux ferrites - Lignes directrices relatives aux dimensions et aux limites des irrégularités de su...
L'IEC 63093-10:2022 spécifie les dimensions qui jouent un rôle majeur dans l'interchangeabilité mécanique d'une gamme préférentielle de noyaux PM constitués d'oxydes magnétiques, les dimensions principales des supports de bobine à utiliser avec ces noyaux et les emplacements de leurs broches sur une grille d'un circuit imprimé modulaire par rapport aux encombrements de…
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconduct...
IEC 63275-1:2022 gives a test method to evaluate gate threshold voltage shift of silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) using room temperature readout after applying continuous positive gate-source voltage stress at elevated temperature. The proposed method accepts a certain amount of recovery by allowing large delay times between stress and…
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ m...
L’IEC 63275-1:2022 donne une méthode d’essai pour évaluer le décalage de la tension de seuil de grille des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un relevé à température ambiante après avoir appliqué une contrainte de tension grille-source positive continue à température élevée. La méthode proposée accepte une…
Nanomanufacturing - Material specifications - Part 5-2: Nano-enabled electrodes of electrochemical c...
IEC 62565-5-2:2022(E) which is a Technical Specification, establishes a blank detail specification that lists the relevant key control characteristics (KCC) including chemical, physical, structural, and electrochemical characteristics of nano-enabled electrode for electrochemical capacitors. Electrodes of both electric double layer capacitors and pseudo capacitors with nano/ nanostructured…
Semiconductor devices - Reliability test method by inductive load switching for gallium nitride tran...
IEC 63284:2022 covers the protocol of performing a stress procedure and a corresponding test method to evaluate the reliability of gallium nitride (GaN) power transistors by inductive load switching, specifically hard-switching stress
Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité par la commutation sur charge inductive...
L'IEC 63284:2022 couvre le protocole d'exécution d'une procédure de contrainte et une méthode d'essai correspondante, en vue d'évaluer la fiabilité des transistors de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) par la commutation sur charge inductive, en particulier la contrainte de commutation dure.
