IEC 63275-1:2022

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 1: Méthode d’essai pour la mesure de la dérive de la tension de seuil après polarisation électrique en température
L’IEC 63275-1:2022 donne une méthode d’essai pour évaluer le décalage de la tension de seuil de grille des transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs (MOSFET) de puissance en carbure de silicium (SiC) en utilisant un relevé à température ambiante après avoir appliqué une contrainte de tension grille-source positive continue à température élevée. La méthode proposée accepte une certaine quantité de recouvrement en autorisant des décalages importants entre la contrainte et la mesure (jusqu’à 10 h).
OEN:
IEC
Langue:
French
Code(s) de l'ICS:
31.080.30
Statut:
Publié
Date de Publication:
2022-04-20
Numéro Standard:
IEC 63275-1:2022