IEC 60749-34-1:2025

L’IEC 60749-34-1:2025 décrit une méthode d’essai utilisée pour déterminer la capacité des modules de puissance à semiconducteurs à résister aux contraintes thermiques et mécaniques du fait du cyclage de la dissipation de puissance des semiconducteurs internes et des connecteurs internes. Elle est basée sur l’IEC 60749‑34, mais est développée spécifiquement pour les modules de puissance à semiconducteurs, y compris les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), les transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET), les diodes et les thyristors. En cas de demande d’un client pour une utilisation individuelle ou une ligne directrice spécifique à une application (par exemple la ligne directrice AQG 324 de l’ECPE), les détails de la méthode d’essai peuvent être basés sur ces exigences s’ils s’écartent du contenu du présent document. Cet essai provoque une usure et est considéré comme destructif.