IEC 60749-17:2019

L’IEC 60749-17:2019 est réalisé pour déterminer la sensibilité des dispositifs à semiconducteurs à la dégradation par perte d’énergie non ionisante (NIEL, Non-Ionizing Energy Loss). L’essai décrit dans le présent document s’applique aux circuits intégrés et aux dispositifs discrets à semiconducteurs, et est destiné aux applications des domaines militaire et aérospatial. Il s’agit d’un essai destructif. Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente: mises à jour afin de mieux aligner la méthode d’essai avec la méthode 1 017 du document MIL-STD 883J, comprenant la suppression des restrictions d’utilisation du document, et une exigence visant à limiter la dose ionisante totale; ajout d’une bibliographie, comprenant les normes US MIL- et ASTM correspondant à la présente méthode d’essai.