IEC 63275-2:2022

Dispositifs à semiconducteurs - Méthode d’essai de fiabilité pour les transistors à effet de champ métal-oxyde-semiconducteurs discrets en carbure de silicium - Partie 2: Méthode d’essai de la dégradation bipolaire due au fonctionnement de la diode intrinsèque

L’IEC 63275-2:2022 donne la méthode d’essai et une procédure utilisant cette méthode pour évaluer la dérive de la tension à l’état passant, la dérive de la résistance à l’état passant et la variation de tension de drain inverse des dispositifs MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) en raison du fonctionnement de la diode intrinsèque. Cet essai n’est généralement pas demandé pour les transistors de puissance en Si.

OEN:

IEC

Langue:

French

Code(s) de l'ICS:

31.080.30

Statut:

Publié

Date de Publication:

2022-05-10

Numéro Standard:

IEC 63275-2:2022