IEC 60747-9:2019

L’IEC 60747-9:2019 ED3 spécifie la terminologie, les symboles littéraux, les valeurs assignées et caractéristiques essentielles, la vérification des valeurs assignées ainsi que les méthodes de mesure pour les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT, insulated-gate bipolar transistors). Cette édition inclut les modifications techniques majeures suivantes par rapport à l’édition précédente: ajout de transistor bipolaire à grille isolée bloqué en inverse et du contenu technique associé; ajout de transistor bipolaire à grille isolée passant en inverse et du contenu technique associé; modification, combinaison ou suppression de certaines parties de l’édition précédente.