IEC 63011-3:2018

L'IEC 63011-3:2018 spécifie un modèle de référence des caractéristiques électriques des trous de liaison à travers le silicium (TSV: through-silicon via) exigées pour la conception d'une interface dans un circuit intégré tridimensionnel (3-D IC) pour transmettre et recevoir des données numériques, ainsi que les conditions de mesure de la résistance et de la capacité afin de spécifier les caractéristiques des TSV dans un circuit intégré tridimensionnel. Les dispositifs de puissance, les dispositifs aux fréquences radioélectriques (RF) et les systèmes microélectromécaniques (MEMS) ne font pas partie du domaine d'application du présent document.