IEC 62047-25:2016

Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs microélectromécaniques - Partie 25: Technologie de fabrication de MEMS à base de silicium - Méthode de mesure de la résistance à la traction-compression et au cisaillement d'une micro zone de brasure
L'IEC 62047-25:2016 spécifie la méthode d'essai in situ pour mesurer la résistance de brasure d'une microzone de brasure fabriquée par des technologies de micro-usinage utilisées dans un système microélectromécanique (MEMS) à base de silicium. Le présent document s'applique à la mesure in situ de la résistance à la traction-compression et de la résistance au cisaillement d'une microzone de brasure fabriquée par un processus microélectronique et d'autres technologies de micro-usinage.
OEN:
IEC
Langue:
French
Code(s) de l'ICS:
31.080.99
Statut:
Publié
Date de Publication:
2016-08-28
Numéro Standard:
IEC 62047-25:2016