Procédure de mesure pour l'évaluation du débit d'absorption spécifique de l'expositio...
IEC 62209-3: 2019 spécifie les protocoles et procédures d'essai pour le mesurage reproductible du DAS maximal moyenné dans l'espace (psSAR – peak spatial-average specific absorption rate) induit à l'intérieur d'un modèle simplifié de tête ou de corps humain par des dispositifs d'émission de radiofréquence (RF), avec une incertitude de mesure spécifiée. Des exigences sont…
Terminology work and terminology science — Vocabulary
This document establishes basic terms and definitions for terminology work and terminology science. It does not include terms and definitions that are specific to computer applications in terminology work.
Travail terminologique et science de la terminologie — Vocabulaire
Le présent document établit les termes et définitions de base du travail terminologique et de la science de la terminologie. Il n'inclut pas les termes et définitions propres aux applications informatiques du travail terminologique.
Petroleum and natural gas industries — Factory bends, fittings and flanges for pipeline transportati...
This document specifies the technical delivery conditions for bends made by the cold bending process for bend with radii 5xOD or higher for use in pipeline transportation systems for the petroleum and natural gas industries as defined in ISO 13623.
This document also specifies the requirements for the manufacture of two product specification levels (PSLs) of cold bends corresponding to product…
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors
IEC 60747-7:2010+A1:2019 gives the requirements applicable to the following sub-categories of bipolar transistors excluding microwave transistors.
- Small signal transistors (excluding switching and microwave applications);
- Linear power transistors (excluding switching, high-frequency, and microwave applications);
- High-frequency power transistors for amplifier and oscillator applications…
Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Partie 7: Transistors bipolaires
L'IEC 60747-7:2010+A1:2019 donne les exigences applicables aux sous-catégories suivantes de transistors bipolaires, à l'exclusion des transistors micro-ondes.
- Transistors petits signaux (à l'exclusion des applications en commutation et en micro-ondes);
- Transistors de puissance linéaire (à l'exclusion des applications en commutation, à haute fréquence et en micro-ondes…